Infineon IRLR120NTRPBF

Name: Infineon IRLR120NTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLR120NTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.185 Ohm; Id 10A; D-pak (TO-252AA); Pd 48W

$ 0.417

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IRLR120NTRPBF	40,000	2K						0.208	2d
Newark		IRLR120NTRPBF	4,212	1	Cut Tape	1.420	0.930	0.647	0.487	0.487
Arrow Electronics	3	IRLR120NTRPBF	1,380	1		0.219	0.219	0.219	0.219	0.219
Future Electronics	2	IRLR120NTRPBF	160,000	2K	Tape & Reel					0.310
DigiKey	3	IRLR120NPBFCT-ND	15,044	1	Cut Tape	1.410	0.890	0.588	0.417	0.417

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Newark

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Datasheet11 페이지28년 전

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element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

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InfineonIRLR120NTRPBF

InfineonAUIRLR120NTRL

Price @ 1000

$ 0.417

$ 0.91

Stock

2,200,579

175,838

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

TO-252-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

10 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

185 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

39 W

48 W

Input Capacitance

440 pF

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2014-07-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRLR120NTRPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W

RS (Formerly Allied Electronics)

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Surface Mount

Avnet

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

N CHANNEL MOSFET, 100V, 10A, D-PAK; TRAN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A;

element14 APAC

IRLR120NTRPBF,MOSFET, 100V, 11 A, 185 MOHM, 13.3 NC QG, LOGI

Jameco

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:11A; Package/Case:D-PAK; Power Dissipation, Pd:39W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:6.9A; Drain Source On Resistance @ 10V:185mohm ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 10 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 185 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 22 / Rise Time ns = 35 / Turn-OFF Delay Time ns = 23 / Turn-ON Delay Time ns = 4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 48

Distrelec