가격 및 재고
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLH5030TR2PBF | 0 | 400 | Bulk | 22h | |||||||
| Avnet | IRLH5030TR2PBF | 0 | 400 | 12h | ||||||||
| Microchip USA | IRLH5030TR2PBF | 299 | 150 | Tray | 4h | |||||||
| Worldway Electronics | IRLH5030TR2PBF | 15,435 | 7 | Tape & Reel | 9h | |||||||
| Aztech | IRLH5030TR2PBF | 15,135 | 5h |
데이터시트 및 문서
Infineon IRLH5030TR2PBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.
공식 데이터시트2년 전
관련 부품
InfineonBSC070N10NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 0.0063 ohm, TDSON, Surface Mount
VishaySUM90N10-8M2P-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
InfineonAUIRFS4410Z
MOSFET, N-CH, 100V, 97A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
STMicroelectronicsSTB75NF75LT4
N-Channel 75V - 0.009Ohm - 75A - D2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
설명
유통업체에서 제공한 Infineon IRLH5030TR2PBF에 대한 설명입니다.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm package
MOSFET, 100V, 100A, 9.0 mOhm max, 44 nC Qg, PQFN, Logic Level
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET,N CH,30V,13A,PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:13A; Power Dissipation Pd:250W; Voltage Vgs Max:20V
제조업체 별칭
Infineon에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Infineon는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
기술 사양
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance5.185 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Elements1
Rds On Max9 mΩ
Recovery Time48 ns
Rise Time72 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height990.6 µm
Length6.1468 mm
Width5.15 mm
데이터시트 및 문서
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공식 데이터시트2년 전