Vishay SUM90N10-8M2P-E3

Name: Vishay SUM90N10-8M2P-E3
Brand: Vishay
SKU: SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK

$ 2.02

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	SUM90N10-8M2P-E3	131	4			2.430	1.830	1.830	1.830
Arrow Electronics		SUM90N10-8M2P-E3	131	1		2.733	2.430	1.830	1.830	1.830
TME	2	SUM90N10-8M2P-E3	327	1		5.070	3.690	2.790	2.210	2.060	9h
TTI		SUM90N10-8M2P-E3.	0	10	Cut Tape		4.530	4.530	4.530	4.530	12h
Avnet		SUM90N10-8M2P-E3	0	800							1d

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Newark

Datasheet8 페이지10년 전

Datasheet8 페이지11년 전

Upverter

Farnell

TME

iiiC

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EE Concierge	심벌풋프린트

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공급망

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-09-18

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-08-31

LTD Date2025-12-31

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SUM90N10-8M2P-E3에 대한 설명입니다.

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK

Win Source

Single N-Channel 100 V 0.0082 O 97 nC Surface Mount Power Mosfet -TO-263 (D2PAK)

Future Electronics

3.75W(Ta),300W(Tc) 20V 4.5V@ 250¦ÌA 150nC@ 10 V 1N 100V 8.2m¦¸@ 20A,10V 90A 6.29nF@50V D2PAK,TO-263 10.67mm*9.65mm*4.83mm

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

Semicontronic

Mosfet, N Channel, 100V, 90A, To-263-3; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:90A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V Rohs Compliant: Yes |Vishay SUM90N10-8M2P-E3.

Newark

MOSFET, N-CH, 100V, 90A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:90A; Power Dissipation Pd:300W; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC