Infineon IRL530NPBF

Name: Infineon IRL530NPBF
Brand: Infineon
SKU: IRL530NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.1 Ohm; Id 17A; TO-220AB; Pd 79W; Vgs +/-16V

$ 0.48

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRL530NPBF	54,998					0.578	0.480	0.428	2h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRL530NPBF	0	1	Bulk	2.310	2.030	2.030	2.030	2.030	18h
Farnell	IRL530NPBF	0	1		1.484*	1.353*	1.043*	1.043*	1.043*	1h
Verical	IRL530NPBF	54,998	577					0.600	0.535
Component Stockers USA	IRL530NPBF	83			1.070	0.930	0.930	0.930	0.930	1d

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Newark

Datasheet9 페이지21년 전

Farnell

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1996-10-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2022-10-15

LTD Date2023-04-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRL530NPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;TO-220AB;PD 79W;VGS +/-16V

RS (Formerly Allied Electronics)

Transistor IRL530N N-Channel MOSFET 100V 12A TO-220

Jameco

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 100 V 0.15 Ohm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB

Rotakorn

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

MOSFET, N, LOGIC, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:63W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:17A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:63W; Power Dissipation Pd:63W; Pulse Current Idm:60A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V

element14 APAC

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 17 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 100 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 26 / Rise Time ns = 53 / Turn-OFF Delay Time ns = 30 / Turn-ON Delay Time ns = 7.2 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220AB / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 79

Distrelec