Infineon IRL1404ZSTRLPBF

Name: Infineon IRL1404ZSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRL1404ZSTRLPBF

N CH POWER MOSFET, HEXFET, 40V, 200A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Cont

$ 0.866

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	IRL1404ZSTRLPBF	234,100					1.040	0.863	0.770	6h
Arrow Electronics	4	IRL1404ZSTRLPBF	3,180	1		2.331	1.492	0.967	0.875	0.836
DigiKey	3	IRL1404ZSTRLPBFCT-ND	297	1	Cut Tape	3.280	2.118	1.452	1.452	1.452
Newark		IRL1404ZSTRLPBF	0	3200	Tape & Reel					1.110
Future Electronics	2	IRL1404ZSTRLPBF	0	800	Tape & Reel				0.770	0.745

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IHS

Datasheet13 페이지13년 전

Datasheet12 페이지13년 전

Newark

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

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공급망

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRL1404ZSTRLPBF에 대한 설명입니다.

N CH POWER MOSFET, HEXFET, 40V, 200A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont

Newark

Single N-Channel 40 V 3.1 mOhm 35 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Pb free

Avnet Japan

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N-CH, 40V, 120A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V;

element14 APAC

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 200 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.1 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 49 / Rise Time ns = 180 / Turn-OFF Delay Time ns = 30 / Turn-ON Delay Time ns = 19 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 230

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