STMicroelectronics STB120N4LF6

N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
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Datasheet18 페이지15년 전

Future Electronics

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공급망

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-09-14
LTD Date2027-03-14

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세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 STMicroelectronics STB120N4LF6에 대한 설명입니다.

N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Win Source
110W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 80nC@ 10 V 1N 40V 4m¦¸@ 40A,10V 80A 4.3nF@25V D2PAK,TO-263 4.83mm
Unikeyic (ICkey)
STB120 Series 40 V 80 A 4 mOhm 110 W 80 nC N-Channel MOSFET - D2PAK
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
Mosfet, N Ch, 40V, 80A, To-263; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V; Product Range:-Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB120N4LF6
Newark

이미지

Farnell
element14 APAC
Lanka Micro
Future Electronics

제조업체 별칭

STMicroelectronics에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. STMicroelectronics는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics