Infineon IRG4BC20SDPBF

Name: Infineon IRG4BC20SDPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4BC20SDPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

$ 2.225

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRG4BC20SDPBF	13					2.120	1.900	1.780	20h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRG4BC20SDPBF	0	200	Bulk				2.550	2.550	12h
Component Stockers USA		IRG4BC20SDPBF	17			2.430	2.430	2.430	2.430	2.430	1d
Win Source		WS-IRG4BC20SDPBF	4,240	50				1.276	0.851	0.851	21h
Worldway Electronics	2	IRG4BC20SDPBF	13,677	7	Tube		0.678	0.657	0.622	0.622	20h

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IHS

Datasheet10 페이지16년 전

Newark

DigiKey

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1998-12-10

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4BC20SDPBF에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Verical

600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a TO-220AB package

International Rectifier

Insulated Gate Bipolar Transistor, 19A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

IGBT, 600V, 19A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:19A; Collector Emitter Voltage Vces:1.6V; Power Dissipation Pd:60W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:19A; Fall Time Max:35ns; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Max:60W; Power Dissipation Pd:60W; Power Dissipation Pd:60W; Pulsed Current Icm:38A; Rise Time:35ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC