Infineon IRG4IBC30SPBF

Name: Infineon IRG4IBC30SPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4IBC30SPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube

$ 1.11

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	IRG4IBC30SPBF	715	2273						0.290	1d
Rochester Electronics	IRG4IBC30SPBF	9,471					1.240	1.110	1.040	9m
Flip Electronics	IRG4IBC30SPBF	715								7d
RS (Formerly Allied Electronics)	IRG4IBC30SPBF	0	2	Bulk		7.140	6.760	6.760	6.760	16h
Farnell	IRG4IBC30SPBF	0	1		2.910*	2.910*	2.067*	1.374*	1.374*	10h

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Datasheet8 페이지15년 전

Datasheet9 페이지24년 전

Newark

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-08-02

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2009-08-19

LTD Date2010-02-19

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4IBC30SPBF에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube

Verical

600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220 FullPak package

RS (Formerly Allied Electronics)

IRG4IBC30SPbF Series 600 V 18 A N-Channel IGBT - TO-220 Full-Pak

Future Electronics

IGBT, 600V, 23.5A, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:23.5A; Collector Emitter Voltage Vces:1.6V; Power Dissipation Pd:45W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:23.5A; Fall Time Max:19ns; Package / Case:TO-220FP; Power Dissipation Max:45W; Power Dissipation Pd:45W; Power Dissipation Pd:45W; Pulsed Current Icm:68A; Rise Time:19ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

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