Infineon IRG4IBC30UDPBF

Name: Infineon IRG4IBC30UDPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4IBC30UDPBF

N-Channel 600 V 17 A Flange Mount Ultrafast CoPack IGBT - TO-220FP

$ 12.09

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRG4IBC30UDPBF	0	1	Bulk	13.430	12.090	12.090	12.090	12.090	4h
Farnell		IRG4IBC30UDPBF	0	1		4.538*	3.271*	2.835*	2.099*	2.099*	11h
Microchip USA		IRG4IBC30UD	368	600	Tray				2.738	2.738	6h
Win Source	2	WS-IRG4IBC30UD	8,150	100				0.589	0.393	0.393	13h
Worldway Electronics	2	IRG4IBC30UDPBF	17,742	7	Tube		3.776	3.661	3.468	3.468	11h

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Newark

Datasheet10 페이지15년 전

Datasheet11 페이지21년 전

Datasheet11 페이지25년 전

Datasheet10 페이지25년 전

IHS

DigiKey

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1998-06-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2009-08-19

LTD Date2010-02-19

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4IBC30UDPBF에 대한 설명입니다.

N-Channel 600 V 17 A Flange Mount Ultrafast CoPack IGBT - TO-220FP

Future Electronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

Avnet

Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

IGBT Housing type: TO-220 Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 2.1 V Current release time: 180 ns Power dissipation: 45 W

Distrelec

IGBT, 600V, 17A, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:17A; Collector Emitter Voltage Vces:1.95V; Power Dissipation Pd:45W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:17A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:180ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220FP; Power Dissipation Max:45W; Power Dissipation Pd:45W; Power Dissipation Pd:45W; Pulsed Current Icm:92A; Rise Time:21ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC