Infineon IRFS7537TRLPBF

Name: Infineon IRFS7537TRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFS7537TRLPBF

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

$ 0.735

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRFS7537TRLPBF	798	1	Cut Tape	2.610	1.680	1.150	0.855	0.855
Arrow Electronics		IRFS7537TRLPBF	672	1		0.732	0.732	0.732	0.732	0.732
Future Electronics	2	IRFS7537TRLPBF	11,200	800	Tape & Reel				0.705	0.685
Rochester Electronics		IRFS7537TRLPBF	225					0.885	0.735	0.655	1d
DigiKey	3	IRFS7537TRLPBFCT-ND	533	1	Cut Tape	2.500	1.607	1.095	1.095	1.095

재고 내역

3개월 추세: -44.46%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRFS7537TRLPBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet13 페이지11년 전

Newark

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-44.46%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRFS7537TRLPBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

InfineonIRFS7537TRLPBF

InfineonIRFS7537PBF

Price @ 1000

$ 0.735

$ 1.01

Stock

392,207

289,018

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

173 A

Threshold Voltage

3.7 V

Rds On Max

3.3 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

230 W

Input Capacitance

7.02 nF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-09-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFS7537TRLPBF에 대한 설명입니다.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 60V 3.3 mOhm 142 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

MOSFET, 60V,173A, 3.3mOhm, 142nC, D2PAK

RS (Formerly Allied Electronics)

Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Infineon

MOSFET, N-CH, 60V, 173A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 173A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.00275ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V; Power Dissipation Pd: 230W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell