Infineon IRFS7730TRLPBF

Name: Infineon IRFS7730TRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFS7730TRLPBF

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

$ 1.595

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	34AC1760	267	1		4.320	4.320	4.320	4.320	4.320	2d
Newark		IRFS7730TRLPBF	267	1	Cut Tape	4.320	4.320	4.320	4.320	4.320
Arrow Electronics		IRFS7730TRLPBF	235	1		1.441	1.441	1.441	1.441	1.441
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFS7730TRLPBF	0	2	Bulk		3.960	3.750	3.750	3.750	17h
Future Electronics	2	IRFS7730TRLPBF	0	800	Tape & Reel				1.380	1.350

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IHS

Datasheet12 페이지11년 전

Farnell

Future Electronics

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InfineonIRFS7730TRLPBF

InfineonIRFS7730PBF

Price @ 1000

$ 1.595

$ 1.24

Stock

149,280

145,854

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

75 V

Continuous Drain Current (ID)

195 A

Threshold Voltage

Rds On Max

2.6 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

375 W

Input Capacitance

13.66 nF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-01-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFS7730TRLPBF에 대한 설명입니다.

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 75V 2.6 mOhm 271 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N-CH, 75V, 195A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 195A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V;

Farnell

Benefits: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness; Fully characterized capacitance and avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability; Lead-free, RoHS compliant; StrongIRFET

Infineon