Infineon IRFS3006-7PPBF

Name: Infineon IRFS3006-7PPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFS3006-7PPBF

Single N-Channel 60 V 2.1 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7

$ 6.94

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFS3006-7PPBF	0	50	Bulk			10.410	6.940	6.940	21h
Farnell	IRFS3006-7PPBF	0	1		7.474*	5.772*	4.996*	3.417*	3.417*	4h
Win Source	WS-IRFS3006-7PPBF	5,596	20				2.363	1.982	1.982	6h
Worldway Electronics	IRFS3006-7PPBF	14,562	7	Tube		1.968	1.908	1.808	1.808	4h
Aztech	IRFS3006-7PPBF	764			17.650	17.650	17.650	17.650	17.650	1h

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IHS

Datasheet9 페이지17년 전

Datasheet10 페이지17년 전

iiiC

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InfineonIRFS3006-7PPBF

InfineonIRFS3006TRL7PP

Price @ 1000

$ 6.94

$ 2.14

Stock

129,571

687,687

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

TO-263-7

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

240 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

2.1 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

375 W

Input Capacitance

8.85 nF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-10-06

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFS3006-7PPBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 60 V 2.1 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7

Future Electronics

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Pin package, D2PAK7P, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, 60V, 240A, 2.1MOHM, 200NC QG, D2PAK-7

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive

Infineon

MOSFET, N-CH, 60V, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:293A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:375W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:8850pF; Current Id Max:293A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:375W; Power Dissipation Pd:375W; Pulse Current Idm:1172A; Reverse Recovery Time trr Typ:44ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V

element14 APAC