Infineon IRFR9120NTRPBF

Name: Infineon IRFR9120NTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR9120NTRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -100V; Rds(on) 0.48 Ohm; Id -6.6A; D-pak (TO-252AA); Pd 40W

$ 0.496

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRFR9120NTRPBF	20,000	2K						0.329	3d
Newark	2	IRFR9120NTRPBF	22	1	Cut Tape	1.700	1.270	0.889	0.638	0.638
Arrow Electronics	2	IRFR9120NTRPBF	2,129	1		0.248	0.248	0.248	0.248	0.248
Future Electronics	2	IRFR9120NTRPBF	4,000	2K	Tape & Reel					0.375
Rutronik		TMOSP12372	2,000	2K						0.351	21h

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element14 APAC

Datasheet11 페이지21년 전

Newark

_legacy Avnet

DigiKey

RS (Formerly Allied Electronics)

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2004-02-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFR9120NTRPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.48Ohm;ID -6.6A;D-Pak (TO-252AA);PD 40W

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel 100 V 40 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA

Future Electronics

-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:6.6A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:40W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFR9120NTRPBF.

Newark

MOSFET, P CH, 100V, 6.6A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.6A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.48ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:40W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)

Farnell

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 6.6 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 480 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 31 / Rise Time ns = 47 / Turn-OFF Delay Time ns = 28 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 40

Distrelec