Infineon IRFR120NTRPBF

Name: Infineon IRFR120NTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR120NTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.21 Ohm; Id 9.4A; D-pak (TO-252AA); Pd 48W

$ 0.456

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRFR120NTRPBF	9,000	2K						0.251	2d
Newark	2	IRFR120NTRPBF	3,285	1	Cut Tape	1.250	0.988	0.655	0.428	0.428
Arrow Electronics	2	IRFR120NTRPBF	6,714	1		0.226	0.226	0.226	0.226	0.226
Future Electronics	2	IRFR120NTRPBF	50,000	2K	Tape & Reel					0.355
Rochester Electronics		IRFR120NTRPBF	21,614					0.459	0.381	0.340	20h

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Newark

Datasheet11 페이지21년 전

Datasheet12 페이지21년 전

Datasheet10 페이지21년 전

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

Verical

iiiC

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2004-03-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFR120NTRPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W

RS (Formerly Allied Electronics)

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK

Win Source

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

N Channel Mosfet, 100V, 9.4A, D-Pak; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:9.4A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFR120NTRPBF.

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 9.4 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 210 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 23 / Rise Time ns = 23 / Turn-OFF Delay Time ns = 32 / Turn-ON Delay Time ns = 4.5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 48

Distrelec