Infineon IRFR3709ZPBF

Name: Infineon IRFR3709ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR3709ZPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 5.2MILLIOHMS; Id 86A; D-pak (TO-252AA); Pd 79W

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFR3709ZPBF	0	1050	Bulk					2.480	11h
Farnell	IRFR3709ZPBF	0	5			1.147*	0.798*	0.628*	0.550*	9h
Win Source	WS-IRFR3709ZPBF	5,510	50				1.024	0.847	0.847	23h
Worldway Electronics	IRFR3709ZPBF	14,990	7	Tube		0.146	0.141	0.134	0.134	2d
Run Hong Electronics	IRFR3709ZPBF	9,468			0.326	0.326	0.326	0.326	0.326	9h

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Datasheet13 페이지21년 전

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Newark

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-03-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2016-11-16

LTD Date2017-05-16

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFR3709ZPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.2Milliohms;ID 86A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W

RS (Formerly Allied Electronics)

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance

Infineon

MOSFET, N, 30V, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:86A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):6.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:3709; Current Id Max:86A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:79mW; Pulse Current Idm:340A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC