Infineon IRFL024NTRPBF

Name: Infineon IRFL024NTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFL024NTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.075 Ohm; Id 2.8A; SOT-223; Pd 1W; Vgs +/-20V

$ 0.315

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	2	IRFL024NTRPBFCT-ND	6	1	Cut Tape	1.220	1.220	1.220	1.220	1.220
Rochester Electronics		IRFL024NTRPBF	0					0.263	0.218	0.194	18h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFL024NTRPBF	0	20	Bulk			0.435	0.412	0.412	8h
Farnell	3	IRFL024NTRPBF	0	5	Cut Tape		1.016*	1.016*	1.016*	1.016*	5h
Component Stockers USA		IRFL024NTRPBF	29,597			0.600	0.530	0.350	0.270	0.270	>1wk

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Newark

Datasheet9 페이지22년 전

Farnell

IHS

_legacy Avnet

RS (Formerly Allied Electronics)

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InfineonIRFL024NTRPBF

InfineonAUIRFL024NTR

Price @ 1000

$ 0.315

$ 0.59

Stock

1,720,539

417,578

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-223

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

2.8 mA

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

75 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

1 W

Input Capacitance

400 pF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2004-05-28

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2025-03-31

LTD Date2025-09-30

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFL024NTRPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 2.8A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55 V 0.075 Ohm 18.3 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Verical

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0028A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA

Semicontronic

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:2.8A; On Resistance, Rds(on):75mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 2.8 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 75 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 17.7 / Rise Time ns = 13.4 / Turn-OFF Delay Time ns = 22.2 / Turn-ON Delay Time ns = 8.1 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.1

Distrelec