Infineon IRFH5250TR2PBF

Name: Infineon IRFH5250TR2PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH5250TR2PBF

MOSFET N-CH 25V 45A PQFN / N-Channel 25 V 45A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

$ 0.81

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFH5250TR2PBF	0	800	Bulk				0.810	0.810	15h
Avnet		IRFH5250TR2PBF	0	800							2d
Farnell	2	IRFH5250TR2PBF	0	1	Cut Tape	1.609*	1.609*	1.023*	0.927*	0.927*	22h
Microchip USA		IRFH5250TR2PBF	222	150	Tray				16.705	16.705	16h
Win Source		WS-IRFH5250TR2PBF	5,110	18				2.504	2.171	2.171	23h

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IHS

Datasheet10 페이지0년 전

Datasheet9 페이지11년 전

element14 APAC

Farnell

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-09-18

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2014-05-12

LTD Date2014-11-12

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFH5250TR2PBF에 대한 설명입니다.

MOSFET N-CH 25V 45A PQFN / N-Channel 25 V 45A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Win Source

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package

International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin QFN T/R

Verical

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:100A; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N CH, 25V, 100A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):900µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:3.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:100A; Package / Case:QFN; Power Dissipation Pd:3.6W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC