Infineon IRF3710STRLPBF

Name: Infineon IRF3710STRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF3710STRLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 23MILLIOHMS; Id 57A; D2PAK; Pd 200W; Vgs +/-20

$ 1.03

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IRF3710STRLPBF	800	800					0.796	0.760	15h
Newark	2	IRF3710STRLPBF	655	1	Cut Tape	2.710	1.750	1.210	1.210	1.210
Arrow Electronics		IRF3710STRLPBF	298	1		1.794	1.405	1.096	1.096	1.096
Future Electronics	2	IRF3710STRLPBF	42,400	800	Tape & Reel				0.960	0.920
Rochester Electronics	2	IRF3710STRLPBF	16,663					1.220	1.010	0.903	13h

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IHS

Datasheet11 페이지12년 전

Datasheet10 페이지12년 전

Newark

DigiKey

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-03-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF3710STRLPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 23Milliohms;ID 57A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100V 23 mOhm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:57A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:200W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 57 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 23 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 47 / Rise Time ns = 58 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 200

Distrelec