Infineon IPB60R099CPATMA1

Name: Infineon IPB60R099CPATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB60R099CPATMA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

$ 3.333

NRND

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	IPB60R099CPATMA1	1,359	1	Cut Tape	7.570	5.130	3.860	3.860	3.860
Future Electronics	2	IPB60R099CPATMA1	1,000	1K	Tape & Reel				3.560	3.510
Arrow Electronics	2	IPB60R099CPATMA1	103	1		4.909	4.190	3.346	3.346	3.346
Rutronik		TMOSP7774	1,000	1K					4.760	4.760	1d
DigiKey	3	IPB60R099CPATMA1CT-ND	2,519	1	Cut Tape	7.870	5.327	3.887	3.753	3.753

재고 내역

3개월 추세: +4.82%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IPB60R099CPATMA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Newark

Datasheet10 페이지15년 전

IHS

element14 APAC

iiiC

TME

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+4.82%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IPB60R099CPATMA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

InfineonIPB60R099CPATMA1

InfineonIPB60R099CPAATMA1

Price @ 1000

$ 3.333

$ 3.87

Stock

730,635

294,464

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-263

TO-263-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

600 V

Continuous Drain Current (ID)

31 A

Threshold Voltage

Rds On Max

105 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

255 W

Input Capacitance

2.8 nF

공급망

Country of OriginGermany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-12-16

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPB60R099CPATMA1에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

EBV Elektronik

255KW 20V 60nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 2.8nF@ 100V D2PAK , 10mm*925cm*4.5mm

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.

Infineon

MOSFET, N, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):99mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:255W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:31A; Package / Case:TO-263; Power Dissipation Pd:255W; Pulse Current Idm:93A; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC