Infineon FZ1600R17HP4B2BOSA2

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1600A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel
$ 932.398
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Infineon

Datasheet1 페이지12년 전

IHS

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대체 부품

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대체 부품
InfineonFZ1600R17HP4B2BOSA2
InfineonFZ1600R17HP4HOSA2
InfineonFZ1600R17HP4HOSA2
Price @ 1000
$ 932.398
$ 669.87
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Stock
450,372
254,261
254,261
Authorized Distributors
5
5
5
Mount
Screw
Screw
Screw
Case/Package
Module
Module
Module
Collector Emitter Breakdown Voltage
1.7 kV
-
-
Max Collector Current
1.6 kA
1.6 kA
1.6 kA
Power Dissipation
10.5 kW
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.25 V
2.25 V
2.25 V
Reverse Recovery Time
-
-
-

공급망

Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

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세부 사항
MicrochipAPTGT50A170T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT50A170T1G
세부 사항
MicrochipAPTGT300DA170G
Pm-Igbt-Tfs-Sp6C Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT300DA170G
세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 Infineon FZ1600R17HP4B2BOSA2에 대한 설명입니다.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1600A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel
IHS
Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 1600A 7-pin IHMB130-1
EBV Elektronik
IGBT MOD 1700V 1600A A-IHV130-3
DigiKey
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
YIC International
2.25V@ 15V,1.6kA 1.6KA IHV-130A-3
UnikeyIC
1700V IHMB 130mm single switch IGBT Module with soft-switching Trench-IGBT4, AlSiC base-plate and enlarged diode - The best solution for your traction and industry applications. | Summary of Features: Extended Operation Temperature T(vj op); Enlarged Diode for regenerative operation; Low V(CEsat); 4kV AC 1min Insulation; AlSiC Base Plate for increasing Thermal Cycling Capability; Package with CTI > 400; High Creepage and Clearance Distances; High Power and Thermal Cycling Capability; UL recognised | Benefits: High Power Density; Standardized housing | Target Applications: drives; wind; traction; cav
Infineon
IGBT, ONE SWITCH, 1700V, 1600A; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:1600A; Collector Emitter Voltage Vces:1.9V; Power Dissipation Pd:11kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Power Dissipation Max:11kW
element14 APAC

이미지

iiiC
LZChips

제조업체 별칭

Infineon에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Infineon는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

부품 번호 별칭

이 부품은 다음과 같은 대체 부품 번호로 알려져 있을 수 있습니다.

  • FZ1600R17HP4-B2
  • FZ1600R17HP4B2
  • FZ1600R17HP4_B2
  • SP001029946