Infineon BSC886N03LSGATMA1

Name: Infineon BSC886N03LSGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC886N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

$ 0.324

Obsolete

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Arrow Electronics		BSC886N03LSGATMA1	8,258	1		0.491	0.491	0.491	0.491	0.491
Rochester Electronics		BSC886N03LSGATMA1	88,225					0.316	0.262	0.234	23h
Farnell	2	BSC886N03LSGATMA1	4,936	1	Cut Tape	1.174*	0.728*	0.477*	0.307*	0.307*	22h
Mouser		726-BSC886N03LSG	5,000	1	Tape & Reel	1.140	0.707	0.463	0.324	0.265
Microchip USA		BSC886N03LSGATMA1	193	3500						0.320	17h

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IHS

Datasheet10 페이지15년 전

Upverter

Future Electronics

Burklin Elektronik

iiiC

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2008-10-21

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2023-03-31

LTD Date2023-09-30

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설명

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Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Verical

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2.5W(Ta),39W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 26nC@ 10 V 1N 30V 6m¦¸@ 30A,10V 13A,65A 2.1nF@15V TDSON-8-1

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

BSC886N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR;

Farnell

Mosfet, N-Ch, 30V, 65A, Pg-Tdson-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.005Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon BSC886N03LSGATMA1

Newark