Vishay SI2369DS-T1-GE3

Name: Vishay SI2369DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI2369DS-T1-GE3

Single P-Channel 30 V 0.04 Ohm 17 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23

$ 0.236

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	70AC6498	299	3K						0.275	2d
Newark	2	SI2369DS-T1-GE3	160	1	Cut Tape	0.291	0.291	0.275	0.275	0.275
TME	2	SI2369DS-T1-GE3	4	1		0.770	0.520	0.293	0.195	0.195	19h
TTI		SI2369DS-T1-GE3	0	6K	Tape & Reel					0.134	1d
Future Electronics		SI2369DS-T1-GE3	0	3K	Tape & Reel					0.181

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공급망

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-09-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI2369DS-T1-GE3에 대한 설명입니다.

Single P-Channel 30 V 0.04 Ohm 17 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23

Future Electronics

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet

Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

IHS

MOSFET, P CH, -30V, -7.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -7.6A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -

Farnell