Diodes Inc. FMMT624TA

Name: Diodes Inc. FMMT624TA
Brand: Diodes Inc.
SKU: FMMT624TA

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 125 V, 1 A, 625 mW, SOT-23, Surface Mount

$ 0.305

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FMMT624TA	6,000	3K						0.198	4h
Newark	3	FMMT624TA	5,885	5	Cut Tape		0.601	0.415	0.375	0.375
CoreStaff		ST40504662	437	1		0.273	0.273	0.240	0.180	0.174	19h
Verical		FMMT624TA	92,934	389					0.338	0.338
Arrow Electronics		FMMT624TA	92,934	389					0.305	0.233

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Newark

Datasheet7 페이지13년 전

IHS

Diodes Inc SCT

Future Electronics

iiiC

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Diodes Inc.FMMT624TA

Diodes Inc.FMMT624TC

Price @ 1000

$ 0.305

$ 0.254

Stock

1,541,311

243,699

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

125 V

Max Collector Current

1 A

Transition Frequency

155 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

250 mV

hFE Min

100

Power Dissipation

625 mW

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75

Introduction Date1996-06-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 125 V, 1 A, 625 mW, SOT-23, Surface Mount

Avnet Silica

Trans Gp Bjt NPN 125V 1A 3-PIN SOT-23 T/r Trans Gp Bjt NPN 125V 1A 3-PIN SOT-23 T/r

Jak Electronics

Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 200mA 10V 1A 625mW 155MHz

Fly-Wing Technology

FMMT624 Series NPN 1 A 125 V Surface Mount Silicon Power Transistor - SOT-23

Future Electronics

Bipolar Transistors (BJT); FMMT624TA; DIODES; NPN; 3; 125 V; 1 A

Maritex

150 V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT-23 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

ComSIT Distribution GmbH

125V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 VCEO=125V VEBO=7V IC=1A

HQonline

Bipolar Transistors - BJT NPN SuperSOT

Digi-ic_SMART PIONEER

TRANSISTOR,NPN,125V,1A,SOT23-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Transition Frequency Typ ft:155MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:450; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; Gain Bandwidth ft Typ:155MHz

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