CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
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 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.674
$ 0.671
Stock
499,519
285,655
Authorized Distributors
2
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vds)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
15 A
15 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
28 mΩ
28 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.1 W
-
Input Capacitance
741 pF
741 pF
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
エンジニアリングリソース
Texas InstrumentsCSD88539NDの評価キットとリファレンスデザインを表示します。
関連部品
VishaySI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY Series 60 V 0.12 Ohm 22 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
InfineonBSO615CGHUMA1
Dual Mosfet, N And P Channel, 3.1 A, 60 V, 0.07 Ohm, 10 V, 1.6 V Rohs Compliant: Yes
Diodes Inc.DMN6066SSD-13
DMN6066SSD Series 60 V 66 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
説明
Texas Instruments CSD88539NDの詳細は販売業者から提供されます。
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual SO-8, 28 mOhm 8-SOIC -55 to 150
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC / Mosfet Array 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 60V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Mosfet, Dual N Channel, 60V, 15A, Soic; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(On):0.023Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD88539ND
メーカーの別名
Texas Instrumentsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Texas Instruments は以下の名前でも知られているかもしれません：
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Weight540.001716 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance741 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max28 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time5 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9 mm
Thickness1.58 mm
Width3.91 mm