価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN6040SSS-13 | 2,125 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN6040SSS-13 | 14 | 14 | |||||||||
| DigiKey | DMN6040SSS-13DICT-ND | 16,855 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN6040SSS-13 | 28 | 1 | 17h | ||||||||
| Avnet | DMN6040SSS-13 | 0 | 2500 | 5h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMN6040SSS-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
関連部品
InfineonIRF9410TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;gFS 14
Diodes Inc.DMC3032LSD-13
N/P Channel 30 V 32/39 mO 2.9 nC Complementary Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
説明
Diodes Inc. DMN6040SSS-13の詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 60 V 55 mOhm 22.4 nC 1.5 W Silicon Mosfet - SOIC-8
Mosfet, N-Ch, 60V, 5.5A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN6040SSS-13
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive 8-Pin SO T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.287 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max40 mΩ
Rise Time8.1 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20.1 ns
Turn-On Delay Time6.6 ns