CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
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 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.363
$ 0.144
Stock
414,403
1,522,072
Authorized Distributors
5
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
QFN
QFN
Drain to Source Voltage (Vds)
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
-2.5 A
-2.5 A
Threshold Voltage
-950 mV
-
Rds On Max
88 mΩ
88 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-12 V
-12 V
Power Dissipation
500 mW
500 mW
Input Capacitance
189 pF
189 pF
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
エンジニアリングリソース
Texas InstrumentsCSD25481F4Tの評価キットとリファレンスデザインを表示します。
評価キット
関連部品
InfineonIRFH8334TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
説明
Texas Instruments CSD25481F4Tの詳細は販売業者から提供されます。
TEXAS INSTRUMENTS CSD25481F4T MOSFET Transistor, P Channel, -2.5 A, -20 V, 0.075 ohm, -8 V, -950 mV
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 1 mm, 105 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Mosfet, P-Channel, -20V, -2.5A, Lga-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(On):0.075Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-8V; Threshold Voltage Vgs:-950Mv; Powerrohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD25481F4T
メーカーの別名
Texas Instrumentsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Texas Instruments は以下の名前でも知られているかもしれません：
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
技術仕様
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)-2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)-12 V
Input Capacitance189 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation500 mW
Rds On Max88 mΩ
Rise Time3.6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-950 mV
Turn-Off Delay Time16.9 ns
Turn-On Delay Time4.1 ns
Dimensions
Height350 µm
Length1.035 mm
Width635 µm