Infineon IRFHS8342TR2PBF

Name: Infineon IRFHS8342TR2PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFHS8342TR2PBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 2mm X 2mm PQFN package

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	IRFHS8342TR2PBF	0	2400							3h
Win Source	WS-IRFHS8342TR2PBF	20	20				2.000	1.733	1.733	2h
Worldway Electronics	IRFHS8342TR2PBF	13,721	7	Tape & Reel		0.071	0.070	0.067	0.066	42m
Anlinkda	IRFHS8342TR2PBF	42,079			0.060	0.054	0.048	0.046	0.046	23m
Fly-Wing Technology	IRFHS8342TR2PBF	17,963			1.604	1.316	1.275	1.192	1.192	23h

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IHS

Datasheet10ページ12年前

Datasheet9ページ12年前

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-11-18

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2014-05-12

LTD Date2014-11-12

説明

Infineon IRFHS8342TR2PBFの詳細は販売業者から提供されます。

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 2mm X 2mm PQFN package

International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R

Verical

MOSFET N-Channel 30V 8.8A HEXFET PQFN6EP

RS (Formerly Allied Electronics)

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET,N CH,30V,8.5A,PQFN22; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:8.8A; Power Dissipation Pd:2.1W; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC