CADモデル
製造元 Texas Instruments CSD25404Q3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.439
$ 0.64
Stock
400,457
297,364
Authorized Distributors
5
4
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
-104 A
104 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6.5 mΩ
6.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
-
Power Dissipation
2.8 W
-
Input Capacitance
2.12 nF
2.12 nF
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
エンジニアリングリソース
Texas InstrumentsCSD25404Q3の評価キットとリファレンスデザインを表示します。
参考設計
関連部品
InfineonIRFR3711ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 4.5Milliohms;ID 93A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
InfineonIRFR3711TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 5.2Milliohms;ID 100A;D-Pak (TO-252AA);-55de
Diodes Inc.DMN2005UPS-13
Mosfet, N-Ch, 20V, 100A, Powerdi 5060 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2005UPS-13
onsemiNTD110N02R
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12.5A Ta 110A Tc 110A 2.88W 21ns
説明
Texas Instruments CSD25404Q3の詳細は販売業者から提供されます。
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 6.5 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON / P-Channel 20 V 104A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 20V, 0.0121ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2.8W(Ta),96W(Tc) 12V 1.15V@ 250¦ÌA 14.1nC@ 4.5 V 1P 20V 6.5m¦¸@ 10A,4.5V 104A 2.12nF@10V VSON-CLIP-8 3.3mm*3.3mm*1mm
メーカーの別名
Texas Instrumentsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Texas Instruments は以下の名前でも知られているかもしれません：
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
技術仕様
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)-104 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.12 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.8 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.3 mm
Thickness1 mm
Width3.3 mm