Infineon IRFR3711ZTRPBF

Name: Infineon IRFR3711ZTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR3711ZTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 20V; Rds(on) 4.5MILLIOHMS; Id 93A; D-pak (TO-252AA); Pd 79W

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFR3711ZTRPBF	0	6K	Bulk					2.110	8h
Farnell	2	IRFR3711ZTRPBF	0	1	Cut Tape	1.068*	0.867*	0.665*	0.508*	0.498*	14h
Win Source	2	WS-IRFR3711ZTRPBF	16,730	110					0.367	0.367	16h
Worldway Electronics	2	IRFR3711Z	14,840	7	Tube		2.692	2.610	2.472	2.472	17h
Classic Components		IRFR3711ZTRPBF	383					0.460	0.460	0.460	1d

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IHS

Datasheet12ページ21年前

Farnell

Future Electronics

Newark

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2003-04-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-03-13

LTD Date2008-09-13

説明

Infineon IRFR3711ZTRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 4.5Milliohms;ID 93A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 20 V 5.7 mOhm 27 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3

Future Electronics

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:93A; On Resistance, Rds(on):5.7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon