価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | STU85N3LH5 | 0 | 5 | Bulk | 10h | |||||||
| Farnell | STU85N3LH5 | 0 | 1 | 17h | ||||||||
| Microchip USA | STU85N3LH5 | 2,455 | 3500 | Tray | 12h | |||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | STU85N3LH5 | 746 | 1 | Tape & Reel | 19h | |||||||
| Win Source | WS-STU85N3LH5 | 505 | 7 | 19h |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STU85N3LH5 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
関連部品
onsemiNTD4805N-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12.7A Ta 95A Tc 95A 2.24W 8ns
onsemiNTD85N02R-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 85A Tc 85A 2.4W 12ns
説明
STMicroelectronics STU85N3LH5の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel 30 V 5.4 mOhm Through Hole StripFET V Power Mosfet - IPAK
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm , 80 A, DPAK, TO-220, IPAK
STU85N3LH5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 30 V, 3-PIN TO-251
30 V, 80 A, 0.0042 OHM, IPAK N-CHANNEL STRIPFET V POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Mosfet, N Channel, 30V, 80A, Ipak; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STU85N3LH5
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Input Capacitance1.85 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max5.4 mΩ
Rise Time14 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time23.6 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm