Infineon IRLU8256PBF

Name: Infineon IRLU8256PBF
Brand: Infineon
SKU: IRLU8256PBF

Mosfet, 25V, 81A, 5.7 Mohm, 10 Nc Qg, Logic Level, I-pak

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLU8256PBF	0	1200	Bulk					1.590	9h
Farnell	IRLU8256PBF	0	1		1.091*	1.091*	0.477*	0.424*	0.424*	16h
Component Stockers USA	IRLU8256PBF	317			99.990	99.990	99.990	99.990	99.990	2d
Win Source	WS-IRLU8256PBF	5,070	12				3.666	3.286	3.286	18h
Worldway Electronics	IRLU8256PBF	12,637	7	Tube		0.499	0.484	0.459	0.459	17h

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRLU8256PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet12ページ14年前

Datasheet11ページ14年前

element14 APAC

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-12-19

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRLU8256PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, 25V, 81A, 5.7 MOHM, 10 NC QG, LOGIC LEVEL, I-PAK

RS (Formerly Allied Electronics)

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 25V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N-CH 25V 81A IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):5.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:63W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:81A; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:63W; Power Dissipation Pd:63W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V

element14 APAC