CADモデル
製造元 STMicroelectronics STGWA15S120DF3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
関連部品
説明
STMicroelectronics STGWA15S120DF3の詳細は販売業者から提供されます。
Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Igbt, Single, 1.2Kv, 30A, To-247-3; |Stmicroelectronics STGWA15S120DF3
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 30A, TO-247-3; DC Collector Current: 30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.55V; Power Dissipation Pd: 259W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.05 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Forward Current15 A
Forward Voltage2.7 V
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation259 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time270 ns