CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 2.005
$ 2.787
Stock
175,215
80,871
Authorized Distributors
6
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
22 A
22 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
148 mΩ
139 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
Power Dissipation
30 W
30 W
Input Capacitance
816 pF
2.88 nF
関連部品
STMicroelectronicsSTF34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF32N65M5
N-channel 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220FP
InfineonIPA60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP N-Channel 650 V 25A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
InfineonIPA65R190E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
説明
STMicroelectronics STF31N65M5の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF31N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 22 A, 710 V, 3-PIN TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Mosfet, N-Ch, 650V, 22A, To-220Fp Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF31N65M5
30W(Tc) 25V 5V@ 250µA 45nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 148mΩ@ 11A,10V 22A 816pF@100V TO-220FP Through hole mounting 16.4mm(height)
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance816 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max148 mΩ
Resistance148 mΩ
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time46 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm