価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STD14NM50N | 0 | 2500 | 11h | ||||||||
| Farnell | STD14NM50N | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Win Source | WS-STD14NM50N | 45,590 | 23 | 10h | ||||||||
| Worldway Electronics | STD14NM50N | 22,540 | 7 | Tape & Reel | 9h | |||||||
| GreenTree Electronics | STD14NM50N | 10,000 | 1d |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STD14NM50N のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
代替部品
Price @ 1000
$ 0.89
Stock
403,505
1,265,020
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-252
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
500 V
Continuous Drain Current (ID)
12 A
12 A
Threshold Voltage
3 V
-
Rds On Max
320 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
-
Power Dissipation
90 W
90 W
Input Capacitance
816 pF
-
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2019-05-02
LTD Date2019-11-02
関連部品
InfineonSPD08N50C3ATMA1
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
STMicroelectronicsSTD7N52DK3
Mosfet Transistor, N Channel, 6 A, 525 V, 0.95 Ohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
onsemiFDD6N50TM-WS
Mosfet Transistor, N Channel, 6 A, 500 V, 0.76 Ohm, 10 V, 5 V |Onsemi FDD6N50TM_WS
説明
STMicroelectronics STD14NM50Nの詳細は販売業者から提供されます。
Automotive-grade N-channel 500 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
STD14NM50N N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 500 V, 3-Pin TO-252
Single N-Channel 500 V 0.32 Ohm 27 nC 90 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 500V, 12A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.28ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:90W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance320 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationDual
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance816 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation90 W
Rds On Max320 mΩ
Resistance320 mΩ
Rise Time9 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time10.2 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm