価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDD6N50TM-WS | 644 | 676 | 8h | ||||||||
| Flip Electronics | FDD6N50TM-WS | 322 | 3d | |||||||||
| element14 APAC | FDD6N50TM-WS | 0 | 1 | Cut Tape | 19h | |||||||
| Farnell | FDD6N50TM-WS | 0 | 1 | Cut Tape | 5h | |||||||
| Microchip USA | FDD6N50TM-WS | 366 | 300 | 4d |
CADモデル
製造元 onsemi FDD6N50TM-WS のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-10
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 13 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 13 hours ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTD7N52DK3
Mosfet Transistor, N Channel, 6 A, 525 V, 0.95 Ohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
説明
onsemi FDD6N50TM-WSの詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet Transistor, N Channel, 6 A, 500 V, 0.76 Ohm, 10 V, 5 V |Onsemi FDD6N50TM_WS
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500 V, 6 A, 900 mΩ, DPAK
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.76ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Pow
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance9.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation89 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation89 W
Rds On Max900 mΩ
Resistance900 mΩ
Rise Time55 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time6 ns