Semikron SKM200GB12T4

Name: Semikron SKM200GB12T4
Brand: Semikron
SKU: SKM200GB12T4

Insulated Gate Bipolar Transistor, 310A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

$ 233.93

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Semikron SKM200GB12T4の詳細は販売業者から提供されます。

Insulated Gate Bipolar Transistor, 310A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

Semicontronic

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 313A; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 313A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.8V; Power Dissipation Pd: -; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Tra

Farnell

Igbt, Module, 1.2Kv, 313A, Semitrans 3; Dc Collector Current:313A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.8V; Power Dissipation Pd:-; Junction Temperature, Tj Max:175°C; Igbt Termination:stud; Product Range:- Rohs Compliant: Yes

Newark

Features: V CE(sat ) with positive temperaturecoefficient High short circuit capability, selflimiting to 6 x I cnom Fast & soft inverse CAL diodes Large clearance (10 mm) andcreepage distances (20 mm) Isolated copper baseplate using DBCTechnology (Direct Copper Bonding4) UL recognized, file no. E63532 Typical Applications: AC inverter drives UPS Electronic welders at f sw up to 20 kHz

Semikron