価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CoreStaff | ST29286269 | 231 | 1 | 12h | ||||||||
| Arrow Electronics | DTC123YUAT106 | 126,150 | 1 | |||||||||
| Verical | DTC123YUAT106 | 126,150 | 73 | |||||||||
| Future Electronics | DTC123YUAT106 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Farnell | DTC123YUAT106 | 0 | 3K | 18h |
CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.044
$ 0.074
$ 0.074
Stock
886,131
43,790
43,790
Authorized Distributors
5
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
-
-
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
-
hFE Min
33
33
33
Power Dissipation
200 mW
-
-
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
関連部品
ROHMDTC114GUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ToshibaRN1301(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiSMUN5211T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
説明
ROHM DTC123YUAT106の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
DTC123YUA Series 50 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - SC-70
300mV@ 500¦ÌA,10mA NPN - Pre-Biased 200mW 500nA 50V 100mA SOT 2mm*1.25mm*800¦Ìm
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN - Pre-Biased Single Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 33 @ 10mA 5V 100mA 200mW 250MHz
TRANSISTOR; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 2.2kohm; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:
TRANSISTOR;DIGITAL;UMT;NPN; Transistor Type:General Purpose; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:100mA; Power Dissipation:200mW; Min Hfe:33; ft, Typ:250MHz; Case ;RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
ROHMは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 ROHM は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
技術仕様
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min33
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage50 V
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V