価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | DTC114GUAT106 | 2,500 | 2500 | |||||||||
| Farnell | DTC114GUAT106 | 0 | 5 | 1d | ||||||||
| Win Source | WS-DTC114GUAT106 | 6,000 | 1170 | 2h | ||||||||
| Worldway Electronics | DTC114GUAT106 | 19,598 | 7 | Tape & Reel | 1h | |||||||
| Aztech | DTC114GUAT106 | 10,356 | 22h |
CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.22
$ 0.046
Stock
184,522
76,680
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
-
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
-
Max Collector Current
100 mA
-
Transition Frequency
250 MHz
-
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
hFE Min
30
-
Power Dissipation
200 mW
-
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
関連部品
ROHMDTC143XUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ToshibaRN1301(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiSMUN5211T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
説明
ROHM DTC114GUAT106の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
TRANSISTOR, DIGITAL; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: -; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resistor Ratio, R1 /
TRANSISTOR, DIGITAL;UMT;NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:10mA; DC Current Gain hFE:30; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:300mV; Current Ic Continuous a Max:10mA; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:30; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
メーカーの別名
ROHMは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 ROHM は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
技術仕様
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min30
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V