CADモデル
製造元 onsemi PN2222ABU のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
代替部品
Price @ 1000
$ 0.069
$ 0.08
$ 0.08
Stock
2,118,226
624,846
624,846
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiKSP2222ATA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
説明
onsemi PN2222ABUの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 1 Amp 3-Pin TO-92 Bulk
PN2222 Series NPN 625 mW 40 V 1A Through Hole General Purpose Transistor-TO-92-3
NPN BJT Transistor, 40V VCEO, 1A IC, 300MHz fT, TO-92
AMPLIFIER, NPN GP, BJT, 40V, 1A, TO92, 3-PIN, 500MA, -55 TO 150C, PN2222A
Trans Bjt Single, Npn, 40V, 600Ma; |Onsemi PN2222ABU.
40V 625mW 1A 100@150mA10V 300MHz 1V@500mA50mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemi NPNTransistor, TO-92encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current1 A, maximum collector-emission voltage40 V
NPN General Purpose Amplifier This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA.Sourced from Process 19.
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V, TO-226AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 625mW; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 35hFE; Tr
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min40
Max Collector Current1 A
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Manufacturer Package IdentifierMKT-ZA03DREV3
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Turn-Off Delay Time250 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント