CADモデル
製造元 onsemi 2N4401BU のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.053
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Stock
2,268,283
1,179,735
1,179,735
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
750 mV
750 mV
750 mV
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi 2N4401BUの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Through Hole
NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Bipolar Transistors (BJT); 2N4401BU; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 40 V; 600 mA
NPN Bipolar Junction Transistor, TO-92
2N4401 Series 40 V CE Breakdown 0.6 A NPN General Purpose Amplifier - TO-92
Transistor GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk
Avnet Japan
Trans Bjt Single, Npn, 40V, 600Ma; |Onsemi 2N4401BU.
onsemi NPNTransistor, TO-92encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current600 mA, maximum collector-emission voltage40 V
TRANSISTOR, NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:750mV; Current Ic Continuous a Max:600mA; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:20; Package / Case:TO-92; Power Dissipation Pd:625mW; Termination Type:Through Hole
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage750 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min40
Max Collector Current600 mA
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント