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代替部品

部品

代替部品

onsemiNVD5865NLT4G

onsemiNVD5C684NLT4G

Price @ 1000

$ 0.65

$ 0.826

Stock

113,509

492,937

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

10 A

13 A

Threshold Voltage

Rds On Max

16 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

3.1 W

3 W

Input Capacitance

1.4 nF

サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-12-16

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)

LTB Date2020-01-24

LTD Date2020-07-24

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

説明

onsemi NVD5865NLT4Gの詳細は販売業者から提供されます。

NVD5865NL Series 60 V 16 mOhm 3.1 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3

Future Electronics

NVD5865NLT4G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 38 A, 60 V, 3-PIN DPAK

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel Power MOSFET 60V, 46A, 16mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 60V, 46A, To-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:46A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Msl:-Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVD5865NLT4G

Newark

画像

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

データがありません

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins4

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)10 A

Drain to Source Breakdown Voltage60 V

Drain to Source Resistance19 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time4.4 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.4 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation49 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape & Reel (TR)

Power Dissipation3.1 W

Rds On Max16 mΩ

Rise Time12.4 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time26 ns

Turn-On Delay Time8.4 ns

Dimensions

Height2.51 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

データシート & ドキュメント

onsemi NVD5865NLT4Gのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。