onsemi FQD13N06LTM

Name: onsemi FQD13N06LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD13N06LTM

N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK

$ 0.257

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	FQD13N06LTM	1,826	1	Cut Tape	1.130	0.739	0.568	0.428	0.428
Verical	3	FQD13N06LTM	61	23				0.257	0.257	0.257
Arrow Electronics	2	FQD13N06LTM	290	1		0.262	0.262	0.262	0.262	0.262
Future Electronics	2	FQD13N06LTM	52,500	2500	Tape & Reel					0.260
Master Electronics		FQD13N06LTM	5,000	100				0.225	0.220	0.208

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Datasheet11ページ4年前

JRH Electronics

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部品

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onsemiFQD13N06LTM

NexperiaBUK92150-55A,118

Price @ 1000

$ 0.257

$ 1.153

Stock

630,003

286,537

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

TO-252

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

55 V

Continuous Drain Current (ID)

11 A

Threshold Voltage

2.5 V

Rds On Max

115 mΩ

125 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

15 V

Power Dissipation

2.5 W

3.6 W

Input Capacitance

350 pF

338 pF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-07-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FQD13N06LTMの詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK

onsemi

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA

Newark

N-Channel 60 V 0.115 Ohm Surface Mount LOGIC Mosfet - TO-252-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

MOSFET, N CH, 60V, 11A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Dissipation Pd: 28W; Transistor Case Style: TO-252AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)

Farnell

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Fairchild Semiconductor