CADモデル
製造元 onsemi NTMFS5C628NLT3G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
Diodes Inc.DMT6004LPS-13
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 3.1 Milliohms, PowerDI5060, 8 Pins, Surface Mount
Diodes Inc.DMTH6004SPS-13
N-Channel 60 V 25 A Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - PowerDI5060-8
InfineonBSC100N06LS3GATMA1
MOSFET, N-CH, 60V, 50A, 8TDSON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
InfineonBSC110N06NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R / OptiMOS3 Power-Transistor
STMicroelectronicsSTD35P6LLF6
P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
説明
onsemi NTMFS5C628NLT3Gの詳細は販売業者から提供されます。
Single N−Channel Power MOSFET 60V, 150A, 2.4mΩ Power MOSFET 60V 140A 2.9 mΩ Single N−Channel SO-8FL Logic Level
Mosfet, N-Ch, 60V, 150A, Dfn Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMFS5C628NLT3G
3.7W(Ta),110W(Tc) 20V 2V@ 135¦ÌA 52nC@ 10 V 1N 60V 2.4m¦¸@ 50A,10V 150A 3.6nF@25V SO
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)150 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max2.4 mΩ
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.1 mm