価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMTH6004SPS-13 | 0 | 2500 | 17h | ||||||||
| Avnet | DMTH6004SPS-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMTH6004SPS-13 | 0 | 2500 | |||||||||
| Mouser | 621-DMTH6004SPS-13 | 1,045 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-DMTH6004SPS-13 | 58,801 | 45 | 19h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMTH6004SPS-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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関連部品
Diodes Inc.DMT6004LPS-13
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 3.1 Milliohms, PowerDI5060, 8 Pins, Surface Mount
InfineonIRF7580MTRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ME Package, MG-WDSON-8, RoHS
STMicroelectronicsSTL130N6F7
N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
説明
Diodes Inc. DMTH6004SPS-13の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel 60 V 25 A Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - PowerDI5060-8
60V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 8-Pin PowerDI EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI5060-8 T&R 2.5K
2.1W(Ta),167W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 95.4nC@ 10 V 1N 60V 3.1m¦¸@ 50A,10V 25A,100A 4.556nF@30V PDI-50608
MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Resistance3.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance4.556 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max3.1 mΩ