価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMT6004LPS-13 | 4,650 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMT6004LPS-13DICT-ND | 13,522 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMT6004LPS-13 | 0 | 2500 | 12h | ||||||||
| Avnet | DMT6004LPS-13 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMT6004LPS-13 | 0 | 2500 |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMT6004LPS-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | ダウンロード | |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-10-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.DMTH6004SCTB-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, To-263Ab Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6004SCTB-13
InfineonIRFH5006TRPBF
INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew
InfineonIRFH7085TRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm package, PG-TDSON-8, RoHS
説明
Diodes Inc. DMT6004LPS-13の詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 3.1 Milliohms, PowerDI5060, 8 Pins, Surface Mount
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, Powerdi 5060 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT6004LPS-13
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI5060-8 T&R 2.5K
Avnet Japan
2.1W(Ta),105W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 96.3nC@ 10 V 1N 60V 2.8m¦¸@ 25A,10V 22A,90A 4.515nF@30V PDI-50608 5.8mm*4.9mm*1mm
N-CH 60V 90A 3,1mOhm PwDI5060-8
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.515 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Manufacturer Package IdentifierPowerDI5060-8
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.8 mΩ
Turn-Off Delay Time53.5 ns
Turn-On Delay Time9.9 ns
Dimensions
Height1.15 mm