CADモデル
製造元 onsemi NTMD4184PFR2G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-09-29
LTD Date2023-03-29
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
関連部品
onsemiNTMD4884NFR2G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Dual Mosfet Transistor 3.3A Ta 5.7A 2.3W 1.4ns
説明
onsemi NTMD4184PFR2Gの詳細は販売業者から提供されます。
Dual P-Channel FETKY™ Power MOSFET -30V -4.0A 95mΩ, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
Single P-Channel 30 V 165 mOhm 4.2 nC 2.31 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
MOSFET, P-CH, 30V, 3.3A, 150DEG C, 1.6W; Available until stocks are exhausted
Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 3.3A, 150度 C, 1.6W;
770mW(Ta) 20V 3V@ 250µA 4.2nC@ 4.5 V 1individualPChannel 30V 95mΩ@ 3A,10V 2.3A 360pF@10V SOIC-8 SMD mount 5mm*4mm*1.5mm
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance95 mΩ
Fall Time2.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance360 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.31 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.31 W
Rds On Max95 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント