Vishay SI4936CDY-T1-GE3

Name: Vishay SI4936CDY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI4936CDY-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

$ 0.306

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		SI4936CDY-T1-GE3	2,500	2500						0.194	23h
Newark	2	SI4936CDY-T1-GE3	110	1	Cut Tape	0.091	0.091	0.091	0.091	0.091
Verical		SI4936CDY-T1-GE3	2,715	137					0.454	0.454
Future Electronics		SI4936CDY-T1-GE3	2,500	2500	Tape & Reel					0.265
TME	2	SI4936CDY-T1-GE3	2,715	1		0.960	0.697	0.414	0.369	0.369	19h

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サプライチェーン

Country of OriginUSA

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-03-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Vishay SI4936CDY-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。

Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R

Avnet Japan

1.7W 20V 3V@ 250¦ÌA 9nC@ 10V 2N 30V 40m¦¸@ 5A,10V 5.8A 325pF@15V SOIC-8 1.75mm

UnikeyIC

MOSFETs Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5A RDS(ON)=40mΩ@10V SOIC8_150MIL

HQonline

30V 5.8A 40m´Î@10V5A 2.3W 3V@250Ã×A 2 N-Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS

Dasenic

DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, NN-CH, 30V, 5.8A, SO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:2.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:5.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):33mohm; Power Dissipation Pd:2.3W; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC

Channel Type:Dual N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:-; Continuous Drain Current Id N Channel:5.8A; Continuous Drain Current Id P Channel:-; No. of Pins:8Pins; Product Range:- RoHS Compliant: No

Newark