onsemi NDS331N

Name: onsemi NDS331N
Brand: onsemi
SKU: NDS331N

Transistor MOSFET N Channel 20 Volt 1.3 Amp 3-Pin Supersot Tape And Reel

$ 0.195

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	NDS331N	3,318,000	3K						0.077	1d
Newark	3	NDS331N	214,386	1	Cut Tape	0.097	0.097	0.097	0.097	0.097
Arrow Electronics	3	NDS331N	8,420	1		0.522	0.346	0.334	0.307	0.289
Verical	4	NDS331N	62,860	66				0.087	0.087	0.087
Future Electronics	2	NDS331N	498,000	3K	Tape & Reel					0.103

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IHS

Datasheet9ページ4年前

Datasheet7ページ28年前

Master Electronics

Upverter

element14 APAC

onsemi

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部品

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onsemiNDS331N

Diodes Inc.DMN2300UFB4-7B

Price @ 1000

$ 0.195

$ 0.1

Stock

12,636,253

3,721,792

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

DFN

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

Continuous Drain Current (ID)

1.3 A

Threshold Voltage

700 mV

950 mV

Rds On Max

160 mΩ

175 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

8 V

Power Dissipation

500 mW

Input Capacitance

162 pF

64.3 pF

サプライチェーン

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1996-07-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi NDS331Nの詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET N Channel 20 Volt 1.3 Amp 3-Pin Supersot Tape And Reel

Jameco

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 20V, 1.3A, 0.21Ω

onsemi

MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 / Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source

Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Surface Mount

Avnet Silica

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

Semicontronic

MOSFET,N CH,20V,1.3A,SSOT3; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):150mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.7V; Power Dissipation Pd:500mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:1.3A; Power Dissipation Pd:500mW; Voltage Vgs Max:8V

element14 APAC

These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

Fairchild Semiconductor