価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | MMBT6427LT1G | 4,425,000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | MMBT6427LT1G | 462,000 | 3K | 3d | ||||||||
| Newark | MMBT6427LT1G | 38,526 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | MMBT6427LT1G | 44,000 | 371 | |||||||||
| Arrow Electronics | MMBT6427LT1G | 4 | 1 |
CADモデル
製造元 onsemi MMBT6427LT1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | 3D | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.042
$ 0.059
$ 0.059
Stock
15,368,330
1,229,020
1,229,020
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
130 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
14000
14000
14000
Power Dissipation
225 mW
300 mW
300 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiMMBT2222ALT3G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
onsemiMMBT4401LT1G
Transistor; Bipolar; Si; NPN; Switching; VCEO 40VDC; IC 600mA; PD 225mW; SOT-23; hFE 40
Diodes Inc.DDTD113ZC-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
Diodes Inc.DDTD142JC-7-F
DDTD Series 50 V 500 mA NPN Pre-Biased Surface Mount Transistor - SOT-23-3
Diodes Inc.DDTD123TC-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
説明
onsemi MMBT6427LT1Gの詳細は販売業者から提供されます。
MMBT Series 40 V 500 mA NPN Silicon Darlington Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
TRANSISTOR, DARLINGTON, SI, NPN, SMALL SIGNAL, VO 40VDC, VI 12VDC, IO 500MADC, PD 225MW
NPN Bipolar Darlington Transistor
1.5V@ 500¦ÌA,500mA NPN - Darlington 300mW 12V 1¦ÌA 40V 40V 500mA SOT-23-3,TO-236 2.9mm*1.3mm*1mm
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current500 mA
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
hFE Min14000
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント