CADモデル
製造元 onsemi MMBT4401LT1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
代替部品
Price @ 1000
$ 0.038
$ 0.041
$ 0.041
Stock
70,762,333
3,298,448
3,298,448
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
750 mV
750 mV
750 mV
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
225 mW
225 mW
225 mW
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiMMBT2222ALT3G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
Diodes Inc.DDTD123EC-7-F
DDTD Series 50 V 500 mA NPN Pre-Biased Surface Mount Transistor - SOT-23-3
説明
onsemi MMBT4401LT1Gの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor; Bipolar; Si; NPN; Switching; VCEO 40VDC; IC 600mA; PD 225mW; SOT-23; hFE 40
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Trans General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.6A 3-Pin SOT-23 Tape and Reel
Bipolar Transistors (BJT); MMBT4401LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 40 V; 600 mA; 3
40V 300mW 100@150mA,1V 600mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
MMBT Series 40 V 600 mA Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 / Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
40 V, 600 mA NPN Bipolar Junction Transistor
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
Trans Bjt Single, Npn, 40V, 600Ma; |Onsemi MMBT4401LT1G.
onsemi NPNTransistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current600 mA, maximum collector-emission voltage40 V
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 250MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 250hFE; Transistor Cas
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage750 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency250 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント